ロッキ要素技術

低雑音工業計測アンプ（代表特性値）
ノイズ電圧密度（PSD）:1.0nV/rootHz

本器は下記の代表的特性を有するJ-FET入力の低雑音差動アンプです。
当機の最大の特徴は業界標準のIC低雑音アンプ(LT1028/AD797等)の入力換算ノイズ電圧密度(PSD):1.0nV/rootHz　と同等な雑音レベルを実現しています。完全対称なJ-FETによる差動入力回路構成から得られる高い差動入力インピーダンス(約100MΩ)により効果的に同相信号を低減し微細な目的信号の検出が可能な高い汎用性を保持する工業計測増幅器(インストルメンテーションアンプ)です。

本器はは精密な研究開発における同相雑音を大きく抑圧し且つ差動入力インピーダンス(約100MΩ)により高い汎用性をを有する超低雑音指数(PSD:1.0nV/rootHz)適合周波数帯域=5Hz-2MHz(-3dB)の工業計測アンプです。

代表特性値例

雑音指標　入力換算ノイズ電圧密度(PSD)=1.0nV/rootHz
適合周波数帯域=5Hz-2MHz(-3dB)
増幅率=1000x/100x
*(PSD)=Power-Spectrum-Density

超低雑音アンプ + 同相雑音抑制回路技術（代表特性値）
入力換算ノイズ電圧密度（PSD）=0.2nV/rootHz

本器は下記の代表的特性を有するBJT入力の超低雑音アンプです。当機の最大の特徴は業界標準のIC低雑音アンプ(LT1028/AD797等)
PSD:1.0nV/rootHzを遥かに凌駕する(PSD)=0.2nV/rootHzという超低雑音性能を実現しております。

この(PSD)=0.2nV/rootHzは室温に於ける約3.0ohmの純抵抗器から発生する熱雑音の理想値と等価の雑音特性です。

当機は高い信号増幅性能:1000x(+60dB)と併せ、信号源抵抗値が約100ohm以下の超微細信号の抽出に最適です。

本器は更に新規開発した同相雑音抑制回路技術により従来検出が困難であった超微小信号を大きな同相雑音排除能力により分離抽出が期待できます。

代表特性値例

雑音指標　入力換算ノイズ電圧密度(PSD)=0.2nV/rootHz
適合周波数帯域=5Hz-500KHz(-3dB)
増幅率=1000x(+60dB)
同相雑音抑圧比=60-80(dB)/±5VDC(vs CMV)
*(PSD)=Power-Spectrum-Density

超低雑音アンプ（代表特性値）
入力換算ノイズ電圧密度（PSD）=0.13nV/rootHz

本器は下記の代表的特性を有するBJT入力の超低雑音アンプです。当機の最大の特徴は業界標準のIC低雑音アンプ(LT1028/AD797等)
PSD:1.0nV/rootHzを遥かに凌駕する(PSD)=0.13nV/rootHzという超低雑音性能を実現しております。

この(PSD)=0.13nV/rootHzは室温に於ける1.0ohmの純抵抗器から発生する熱雑音の理想値と等価の雑音特性です。

当機は高い信号増幅性能:1000x(+60dB)と併せ、信号源抵抗値が約100ohm以下の超微細信号の抽出に最適です。

代表特性値例

雑音指標　入力換算ノイズ電圧密度(PSD)=0.13nV/rootHz
適合周波数帯域=5Hz-1MHz(-3dB)
増幅率=1000x(+60dB)
*(PSD)=Power-Spectrum-Density

超低雑音アンプ（代表特性値）
入力換算ノイズ電圧密度（PSD）=0.1nV/rootHz

本器は下記の代表的特性を有するBJT入力の超低雑音アンプです。当機の最大の特徴は業界標準のIC低雑音アンプ(LT1028/AD797等)
PSD:1.0nV/rootHzを遥かに凌駕する(PSD)=0.10nV/rootHzという超低雑音性能を実現しております。

この(PSD)=0.1nV/rootHzは室温に於ける約0.6ohmの純抵抗器から発生する熱雑音の理想値と等価の雑音特性です。

当機は高い信号増幅性能:1000x(+60dB)と併せ、信号源抵抗値が約100ohm以下の超微細信号の抽出に最適です。

代表特性値例

雑音指標　入力換算ノイズ電圧密度(PSD)=0.1nV/rootHz
適合周波数帯域=5Hz-500KHz
増幅率=1000x
*(PSD)=Power-Spectrum-Density