ロッキ要素技術

超低雑音正負可変電圧源（代表特性値）

特徴概要

本器は出力雑音(en_out)が極めて小さい超低雑音電圧源です。
出力ノイズ電圧密度(PSD)=1nV/√Hz

本器のこの：(PSD)=1nV/√Hzにより近年多様化している各種の高性能センサ等のDCブリッジバイアス電圧源また電流源(J-FET等)を介しての超低ノイズの電流源等々適合応分野は宇宙科学等先端技術分野から医療物性化学分野等多岐の可能性が期待できます。

本器は正負対称出力を持つトラッキング電圧源です。
本器は±0.0v～±15v(例±25v)まで」自在に可変できます。
本器は±約100mAまで極めて低い出力抵抗特性(100μΩ以下)が可能です。
本器は大きな出力負荷変動または入力電圧変動に対して極めて大きな抑圧性能を有しております。出力電圧変動抑圧比 =160-180dB

代表特性値例

雑音指標　出力ノイズ電圧密度(PSD)=1nV/√Hz
出力電圧/出力電流 / Vo=0.0v-±15.0vDC / Io=100mADC
出力電圧変動抑圧比 / Ripple-Rejection-Ratio=160-180dB
*(PSD)=Power-Spectrum-Density

超低雑音精密可変電圧源（代表特性値）

特徴概要

本器は出力雑音(en_out)が極めて小さい超低雑音電圧源です。
出力ノイズ電圧密度(PSD)=1nV/√Hz

本器のこの：(PSD)=1nV/√Hzにより近年多様化している各種の高性能センサ等のDCブリッジバイアス電圧源

また電流源(J-FET等)を介しての超低ノイズの電流源等々適合応用分野は宇宙科学等先端技術分野から医療物性化学分野等多岐の可能性が期待できます。

本器は精密ダイヤルにより正確に電圧を設定可能な電圧源です。
本器は0.0v～10.0v(例20.0v)まで」自在に可変できます。
本器は約100mAまで極めて低い出力抵抗特性(100μΩ以下)が可能です。
本器は大きな出力負荷変動または入力電圧変動に対して極めて大きな抑圧性能を有しております。出力電圧変動抑圧比 =160-180dB

代表特性値例

雑音指標　出力ノイズ電圧密度(PSD)=1nV/√Hz
出力電圧/出力電流 / Vo=0.0v-10.0vDC / Io=100mADC
出力電圧変動抑圧比 / Ripple-Rejection-Ratio=160-180dB
*(PSD)=Power-Spectrum-Density

超低雑音精密可変電圧源（代表特性値）

特徴概要

本器は出力雑音(en_out)が極めて小さい超低雑音電圧源です。
出力ノイズ電圧密度(PSD)=1nV/√Hz

本器のこの：(PSD)=1nV/√Hzにより近年多様化している各種の高性能センサ等のDCブリッジバイアス電圧源また電流源(J-FET等)を介しての超低ノイズの電流源等々適合応分野は宇宙科学等先端技術分野から医療物性化学分野等多岐の可能性が期待できます。

本器は精密ダイヤルにより正確に電圧を設定可能な電圧源です。
本器は0.0v～10.0v(例20.0v)まで」自在に可変できます。
本器は約100mAまで極めて低い出力抵抗特性(100μΩ以下)が可能です。
本器は大きな出力負荷変動または入力電圧変動に対して極めて大きな抑圧性能を有しております。出力電圧変動抑圧比 =160-180dB

代表特性値例

雑音指標　出力ノイズ電圧密度(PSD)=1nV/√Hz
出力電圧/出力電流 / Vo=0.0v-10.0vDC / Io=100mADC
出力電圧変動抑圧比 / Ripple-Rejection-Ratio=160-180dB
*(PSD)=Power-Spectrum-Density